Memoria ultrahigh-speed, la svolta: il meccanismo cinese per le memorie ultra-veloci

Lo sviluppo di dispositivi di memoria ad alte prestazioni gioca un ruolo chiave nell’innovazione dell’elettronica moderna. Spinto dalla richiesta di una massiccia archiviazione dei dati e di un’elaborazione dei dati ultraveloce, è stato compiuto un grande passo in avanti verso le memory ultrahigh-speed.

Chip (Adobe Stock)
Chip (Adobe Stock)

Alcuni ricercatori cinesi hanno scoperto un nuovo meccanismo per sviluppare dispositivi di memoria non volatile ad altissima velocità, come rivelato dall’Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS).

La scoperta: un memoria non volatile floating-gate ad altissima velocità

Chip di memoria (Pixabay)
Chip di memoria (Pixabay)

I dispositivi di memoria non volatile, inclusa la memoria di sola lettura (ROM) e la memoria flash, hanno un’elevata capacità e affidabilità meccanica. Ma le loro prestazioni sono state ostacolate dal basso tasso di estinzione e dalla bassa velocità operativa.

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Un team di ricerca dell’Istituto di Fisica ha sviluppato dispositivi di memoria non volatile floating-gate ad altissima velocità, basati su eterostrutture di Van der Waals con interfacce atomicamente nitide tra diversi elementi funzionali, con un valore di estinzione fino a 10 miliardi.

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Tali dispositivi di memoria possono eseguire operazioni di lettura e scrittura entro un intervallo di 20 nanosecondi, conservando i dati per almeno dieci anni. Un salto in lungo pauroso in relazione agli attuali dispositivi di memoria flash in commercio. Che leggono e scrivono dati nell’intervallo di 100 microsecondi o 100.000 nanosecondi.

Le eterostrutture di Van der Waals sono realizzate con diversi materiali stratificati e possono essere impiegate in campi di ricerca che vanno dalla scienza dei materiali all’elettrochimica. La ricerca, finanziata dalla National Natural Science Foundation of China, dal Ministero della Scienza e della Tecnologia e dal CAS, è stata pubblicata lunedì sulla rivista Nature Nanotechnology, con il titolo: “Un dispositivo di memoria non volatile ad altissima velocità“.

Wu Liangmei (laureato), Wang Aiwei (laureato), Shi Jinan (Università dell’Accademia cinese delle Scienze) e Yan Jiahao (laureato) sono i primi autori dell’avanguardissimo meccanismo per memorie ultra-veloci che riduce tempi elaborazione da 100.000 a 20 nanosecondi. Il ricercatore Bao Lihong, il professor Ouyang Min e l’accademico Gao Hongjun, i co -autori.

Anche il professor Zhou Wu, dell’Università dell’Accademia cinese delle scienze, ha partecipato a questa importantissima ricerca.