Samsung annuncia Una memoria flash da 256 GB con tecnologia V-Nand

Samsung annuncia la prima memoria V-Nand da 256 GB di spazio di archiviazione, garantendo enorme spazio di archiviazione e bassi consumi di energia.

Tra non molto, oltre alle versioni degli smartphone da 16, 32, 64 e 128 GB si aggiungerà anche una quinta versione ovvero da 256 GB.

Questo grazie al modulo flash V-Nand recentemente annunciato da Samsung in grado di ospitare fino a 256 GB di memoria. Si tratta solo di un primo passo visto che il potenziale ottenibile con questa tecnologia è di ben 4 volte superiore.

Si tratta di una evoluzione, quasi scontata, di una delle memorie più diffuse a livello mondiale e utilizzata su smartphone, tablet oltre che su netbook e portatili.

Il nuovo chipset di memoria sfrutta il protocollo UFS 2.0 per essere scritta e letta in maniera molto più veloce rispetto alle classiche SSD da computer.

Grazie ai suoi 256 GB di memoria, questo chip potrebbe conservare quasi 50 film in Full HD e permettere video 4K senza problemi.

Le memorie di tipo NAND sono realizzate da strati sovrapposti composti da uno speciale materiale in silicio non conduttivo che intrappola l’energia e permette cosi di mantenere le celle pienamente operative nel tempo.

La tecnologia V-Nand, ovvero Vertical Nand, permette di sovrapporre fino a 100 strati di memoria con un potenziale dichiarato da Samsung di 1 Terabite di dati, ovvero 4 volte la quota raggiunta con questo nuovo prodotto.

Per poter conservare cosi tanti dati, queste memorie dispongono di un proprio sistema di algoritmo che cataloga le informazioni archiviate per essere estratte velocemente.

Questo algoritmo di archiviazione particolare consente l’accesso rapido e garantisce fino al 45% di risparmio energetico rispetto alle normali memorie Nand.