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Smartphone, dal 2018 512GB di memoria integrata

Smartphone, dal 2018 512GB di memoria integrata

Silicon Motion Technology annuncia il lancio di nuovi moduli di memoria UFS (Universal Flash Storage) 2.1 in grado di offrire negli smartphone memorie flash integrate con capacit fino a 512 GigagaByte.

La rivista Digitimes ha riportato  che la società Silicon Motion Technology ha rilasciato dei nuovi moduli di memoria UFS (Universal Flash Storage) 2.1 della linea Controller, ossia una serie di prodotti con supporto per UFS HS-Gear3x1L e HS-Gear3x2L, che permettono la lettura e la scrittura veloce nei telefoni cellulari.


La linea di moduli di memoria UFS 2.1 è stata realizzata con tecnologia MIPI M-PHY di proprietà di Silicon Motion, architettura a basso consumo e LDPC avanzata (Low Density Parity Check) ECC per il supporto 3D NAND, che offre prestazioni di lettura e scrittura fino a 50.000 / 40.000 IOPS  e capacità fino a 512GB, oltre ad un consumo energetico piuttosto basso per gli smartphone di punta e tradizionali.
 
Fino ad un paio di anni fa i produttori hanno utilizzato memorie di tipo eMMC ma negli ultimi anni viene data maggiore rilievo a questa nuova tecnologia dedicata alle memorie di archiviazione dati. Vediamo quindi la differenza tra le due tecnologie e perché sta diventando uno standard nei top di gamma.

L'eMMC (embedded Multi Media Card) equivale ad una micro-SD unita ad un controller (Parallel), ma a differenza di una normale micro-SD, ha prestazionali decisamente superiori, è di più piccole dimensioni ed un consumo energetico minore. Non può venire rimossa, poiché è saldata in un circuito elettrico ed è presente in qualsiasi dispositivo che disponga di una memoria di archiviazione interna, come  gli smartphone, i tablet, i sistemi GPS, eReader, ecc. L’ultima versione disponibile di tale memoria è l’eMMC 5.1, rilasciata nel 2015.

L'UFS, invece, utilizza un'interfaccia seriale LVD (Low Differential Segnaling) ad alta velocità, che può variare tra i 2.9 Gbps ai 5.8 Gbps, offrendo una scrittura e lettura sequenziale con un minore consumo energetico rispetto all'eMMC. Questo vuol dire che gli avvi sono più rapidi e la velocità di lettura/scrittura è decisamente superiore, oltre alla capacità di multitasking, che è 3 volte superiore. Il risultato è che l'utilizzatore può giocare, o riprodurre un video in alta definizione, o utilizzare app varie, scaricare e caricare file in contemporanea.

E' possibile utilizzare la tecnologia UFS nelle le memorie di tipo flash per le fotocamere digitali, nei telefoni cellulari e dispositivi elettronici di consumo, con l'obiettivo di ottenere schede di memoria ad alte prestazioni, con un basso consumo energetico ed alte capacità di storage, caratteristiche fondamentali per le esigenze multitasking e multimediali degli smartphone attualmente presenti sul mercato. 

Secondo l'azienda Silicon Motion, i moduli UFS 2.1 forniscono prestazioni di lettura e scrittura sequenziale ben 3 volte più rapide rispetto ai moduli eMMC 5.1.

Stando alle affermazioni del direttore per lo sviluppo della tecnologia flash NAND per IHS Markit, Walter Coon, "entro i prossimi cinque anni UFS diventerà una caratteristica standard delle memorie flash , sostituendo gradualmente la tecnologia eMMC. Questo perché le capacità multimediali ad alte prestazioni sono una pietra angolare per i dispositivi mobili di oggi".

La linea UFS 2.1 di Silicon Motion sarebbe pronta per essere utilizzata nei dispositivi e nei prossimi mesi le aziende produttrici potranno testare le nuove schede. La produzione di massa è prevista entro la fine del 2017.



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